品牌:
Micron(镁光)
Winbond(华邦)
ISSI(美国芯成)
Alliance Memory
Nanya(南亚)
SK Hynix(海力士)
Samsung(三星)
Zentel(力积)
longsys(江波龙)
MK(米客方德)
HosinGlobal(宏芯宇)
类目:
EEPROM存储器
SDRAM存储器
DDRSSD存储器
CPLD-FPGA芯片
FLASH存储器
封装:
暂无
FBGA-96
BGA-96
VFBGA-96
FBGA-96ball
TFBGA-96
96-FBGA（9x14）
96ballFBGA
BGA
FBGA-96(7.5x13.5)
VFBGA-96(7.5x13)
WBGA-96
状态 | 型号 | 品牌 | 封装 | 类目 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| 对比 | IS43TR16128C-15HBLI | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16128B-15HBL | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | SDRAM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16128D-125KBLI | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16128DL-125KBLI | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16128CL-125KBL | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | SDRAM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS46TR16128B -15HBLA2 | ISSI(美国芯成) | EEPROM存储器 | 脚位相识 | |
| 对比 | IS43TR16256B-125KBLI | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16256BL-125KBLI | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16256BL-125KBLITR | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16640BL-125JBLI-TR | ISSI(美国芯成) | BGA-96 | EEPROM存储器 | 脚位相识 |
| 对比 | IS43TR16640CL-107MBLI | ISSI(美国芯成) | SDRAM存储器 | Pin To Pin | |
| 对比 | IS43TR16640C-125JBLI | ISSI(美国芯成) | SDRAM存储器 | Pin To Pin | |
| 对比 | IS43TR16640C-107MBLI | ISSI(美国芯成) | EEPROM存储器 | Pin To Pin | |
| 对比 | IS43TR16512B-125KBLI | ISSI(美国芯成) | FBGA-96 | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
| 对比 | IS43TR16512BL-125KBLI | ISSI(美国芯成) | EEPROM存储器 | Pin To Pin |
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